Een tijd geleden maakte ik ‘The Smoker’: een fet-boost projectje van runoffgroove. In de beschrijving wordt uitgelegd hoe de veranderende ingangsimpedantie (500 k0hm potmeter naar grond) ervoor zorgt dat de boost zich meer of minder gaat gedragen als een treble-booster. Bij toonknop op 10, krijg je de volledige impedantie en worden zo goed als alle frequenties doorgelaten. Bij toonknop op 0, krijg je een kleine impedantie, en worden enkel nog de hogere tonen doorgelaten.
Jack Orman ontwikkelde in 2001 een mosfet boost. Hierbij wordt de Gate van een mosfet middels een hoge weerstand (10 Mega-Ohm) aan een spanningsdeler gekoppeld. Mosfets laten – in tegenstelling tot gewone Silicone transistoren – aan de Gate geen stroom door. De werking van een mosfet wordt bepaald door de Gate-Source spanning (Vgs). Het is de spanningsdeler die de Vgs genereert.
Omdat er quasi geen stroom vloeit door de 10 Mega-Ohm weerstand (dus tussen spanningsdeler en Gate van mosfet), fungeert de spanningsdeler als een soort van “virtuele grond”. De 10 Mega-Ohm weerstand bepaald de ingangsimpedantie. Als we die nu es vervangen door hetzelfde idee als bij de ‘The Smoker’? Dus een pot-meter + vaste weerstand tussen Gate en spanningsdeler.
Bovenstaande grafiek toont de frequentieverlopen van verschillende standen van de 500 K-Ohm potentiometer. Je kan mooi zien dat hetzelfde mechanisme opgaat: bij toonknop op 10 worden alle frequenties doorgelaten owv de volle ingangsimpedantie. Bij toonknop op 0 worden enkel nog de hogere frequenties doorgelaten. Het scharnierpunt is afhankelijk van de waarde van de ingangscondensator. Hoe kleiner je die neemt, hoe kleiner de volledige versterking + hoe minder lage tonen worden doorgelaten.
Misschien een ideetje om verder uit te werken.
En wat zou het geven moest ik er 2 na elkaar zetten? Een super-duper met een twist?